GANN EFFEKTI — Nsimon hajmiy volt-amper xarakteristikali yarimoʻtkazgichlarda elektr tokining yuqori chastotali tebranishlarini generatsiyalash. Gann effektini amerikalik fizik J. Gann (J. Gunn) elektron oʻtkazuvchanlikli GaAs va JnP namunalarida kuzatgan (1963). Gann effekti doimiy kuchlanish maromida namunalarda doimiy ravishda paydo boʻladigan, koʻchadigan va yoʻqoladigan kuchli elektr maydon sohasining mavjudligi tufayli yuzaga keladi. Bu soha Gann domeni deyiladi. Gann effektida tebranish chastotasi namuna uzunligiga teskari mutanosib boʻladi. Uz. 30—50 mkm li GaAs kristallda tebranish chastotasi – 0,3—2 GGs.
0 0 голоса
Рейтинг статьи
Подписаться
Войти через
авторизуйтесь
Я разрешаю создать мне учетную запись
Когда вы первый раз заходите с помощью соцсетей, мы получаем публичную информацию из вашей учетной записи, предоставляемой провайдером услуги соцсети в рамках ваших настроек конфиденциальности. Мы также автоматически получаем ваш e-mail адрес для создания вашей учетной записи на нашем веб сайте. Когда она будет создана, вы будете авторизованы под этой учетной записью.
Не согласенСогласен
Войти через
Я разрешаю создать мне учетную запись
Когда вы первый раз заходите с помощью соцсетей, мы получаем публичную информацию из вашей учетной записи, предоставляемой провайдером услуги соцсети в рамках ваших настроек конфиденциальности. Мы также автоматически получаем ваш e-mail адрес для создания вашей учетной записи на нашем веб сайте. Когда она будет создана, вы будете авторизованы под этой учетной записью.
Не согласенСогласен
0 комментариев
Межтекстовые Отзывы
Посмотреть все комментарии