GANN DIODI — ikki elektrodli r-p oʻtishsiz yarimoʻtkazgich asbob. Unda elektr magnit tebranishlarni generatsiyalash yoki kuchaytirishda Gann effektidan foydalaniladi. Eng koʻp qoʻllaniladigan Gann generatorlari boʻlib, ular GaAs yoki JnP monokristallaridan yasalgan, qalinligi 1,5—10 mkm va diametri 20—150 mkm boʻlgan diskdan iborat. Diskning qarama-qarshi tomonlariga metall kontaktlar qoplanadi. Gann diodi oʻta yuqori chastotalar zanjirining faol elementi tarzida xizmat qiladi. Uning ish chastotalari – 10-120 GGs, f. i. k. – 210%. Uzluksiz maromdagi quvvati – 200 MVt, impuls maromda (~10GGs chastotada) 200 Vt.
0 0 голоса
Рейтинг статьи
Подписаться
Войти через
авторизуйтесь
Я разрешаю создать мне учетную запись
Когда вы первый раз заходите с помощью соцсетей, мы получаем публичную информацию из вашей учетной записи, предоставляемой провайдером услуги соцсети в рамках ваших настроек конфиденциальности. Мы также автоматически получаем ваш e-mail адрес для создания вашей учетной записи на нашем веб сайте. Когда она будет создана, вы будете авторизованы под этой учетной записью.
Не согласенСогласен
Войти через
Я разрешаю создать мне учетную запись
Когда вы первый раз заходите с помощью соцсетей, мы получаем публичную информацию из вашей учетной записи, предоставляемой провайдером услуги соцсети в рамках ваших настроек конфиденциальности. Мы также автоматически получаем ваш e-mail адрес для создания вашей учетной записи на нашем веб сайте. Когда она будет создана, вы будете авторизованы под этой учетной записью.
Не согласенСогласен
0 комментариев
Старые
Новые Популярные
Межтекстовые Отзывы
Посмотреть все комментарии